IBM推出全球首款亚纳米芯片技术，盘前股价一度涨超6%

2026.06.25 界面新闻记者 | 宋佳楠 6月25日，IBM宣布推出全球首款亚1nm（纳米）芯片技术，该技术采用创新性晶体管架构，工艺节点达0.7nm。当前传统芯片微缩工艺已逼近物理极限，IBM的这项成果标志着半导体行业迎来里程碑时刻。 据IBM介绍，全新亚1nm芯片可在指甲盖大小的芯片上集成近1000亿枚晶体管，晶体管密度约为该公司2021年发布的2nm芯片的两倍。依托三维纳米堆叠架构等一系列结构与材料层面的突破性创新，该技术证明：即便芯片元器件尺寸逼近原子级别，性能与能效仍能实现持续提升。 上述消息公布后，IBM美股盘前快速拉升，涨幅一度扩大至6%。截至6月24日美股收盘，IBM报262.96美元，微跌0.75%，市值为2472亿美元。 图片来源：IBM 已公开的实测技术数据显示，这款全新芯片相较IBM 2nm工艺芯片，综合性能最高可提升50%，同等算力下能效提升70%，可用于生成式人工智能、云基础设施及下一代电子设备等各类算力场景。 IBM研究院院长、IBM院士杰伊·甘贝塔表示：“IBM本次芯片突破将半导体工艺从纳米时代推进至原子尺度。依托全新纳米堆叠架构，我们不只是制造尺寸更小的晶体管，更是重构芯片底层制造逻辑，实现算力与能效的跨越式提升。” 为开发这款芯片，IBM研发团队打造了一套全新晶体管架构，命名为“纳米堆叠（Nanostack）”，也是全球已知首款基于纳米片的三维晶体管设计。IBM称，纳米堆叠架构相比由IBM首创、当前行业主流的纳米片工艺实现跨越式升级。该架构将晶体管纵向分层交错堆叠，利用三维集成工艺在单颗芯片上集成更多晶体管，同时允许各堆叠层采用差异化材料组合，可独立优化每一枚晶体管的性能与功耗。 图片来源：IBM IBM强调，研发团队通过CMOS集成工艺中的超薄介质键合技术、双沟道工程能力验证、标准CMOS反相器功能测试（开关性能符合预期），完成纳米堆叠架构的实验验证。上述全部测试结果证实，纳米堆叠架构具备物理可制造性，能够支撑实际运算需求。 此外，IBM研究团队在2026年超大规模集成电路国际研讨会发布的最新研究成果表明，纳米堆叠架构可将静态随机存取存储器（SRAM）尺寸缩减40%，能满足高端人工智能算力任务对高带宽数据传输的相关需求。 如今行业所说的工艺节点仅代表一代制造技术标准，而非精确物理尺寸。IBM这套0.7nm技术，表明芯片微缩路线仍存在巨大拓展空间。根据IBM半导体技术路线图，借助纳米堆叠架构，先进工艺微缩周期至少可再延续十年。 另据IBM介绍，该公司和合作方的全部研发工作，均在美国纽约州奥尔巴尼顶尖半导体研发中心开展。该研发中心不久后将入驻高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV），这一设备是未来逻辑芯片微缩不可或缺的核心装备。 IBM已联合泛林集团、东京电子、Screen半导体解决方案株式会社等，共同研发适配高数值孔径极紫外光刻的全新工艺与配套设备，目前已成功试制出可正常工作的芯片器件。 按照研发规划，纳米堆叠技术最早将落地亚1nm工艺节点，IBM预计整套技术最快五年内即可实现量产落地。 截至目前，成熟芯片先进制程集中在3nm、2nm两大节点，商业化制造资源高度集中。台积电3nm工艺2022年实现量产，2nm N2制程已于2025年第四季度投产，占据全球先进代工市场超60%份额。三星同步推进3nm、2nm GAA环绕栅极工艺，在移动端、高性能计算芯片领域争夺订单。英特尔则依托IDM 2.0路线落地3nm，同步推进18A（1.8nm）节点研发，三者是当前唯一具备2nm级量产能力的制造厂商。 不同于台积电、三星侧重商业化量产优化，IBM研发重心聚焦材料物理、新型器件底层突破，无需受短期量产成本、客户订单约束，得以持续投入周期长达十年以上的前沿基础研究。 近年来，IBM围绕AI领域完成多轮技术迭代与商业并购动作，AI业务已成为公司业绩增长的核心引擎。IBM发布的2026财年一季报显示，其总营收为159.17亿美元，同比增长9.5%；净利润为12.16亿美元，同比增长15.26%。 当季IBM软件业务营收70.52亿美元，同比上涨11%，其中数据智能、自动化软件板块分别增长19%、10%；基础设施业务营收33.26亿美元，同比增长15%，IBM Z大型主机业务增速高达51%，核心驱动力来自内置AI加速算力的主机更新需求。 亚1nm芯片技术问世后，有望进一步放大IBM现有AI业务的竞争力。这套技术可形成区别于英伟达、AMD通用GPU的差异化企业算力方案，同时可向台积电、Rapidus等合作厂商输出亚1nm器件专利与工艺方案。 多家机构认为，2026至2027年，IBM整体营收年均增速维持5%左右，软件与AI业务增速保持两位数，自由现金流持续稳定在140亿美元以上水平。