科创芯片ETF易方达(589130)低开高走翻红涨超1%，机构判断第三季整体DRAM格局持续极度紧缺

2026.07.07 截至2026年7月7日 09:53，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.34%，科创芯片ETF易方达(589130)上涨1.21%，成交4473.03万元。截至7月6日，科创芯片ETF易方达(589130)近2周规模增长9.29亿元，近2周份额增长4.23亿份，实现显著增长。资金流入方面，科创芯片ETF易方达(589130)近5个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”3.91亿元。消息面上，根据TrendForce，第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增13-18%。NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。国泰海通证券研报指出，韩国正式启动半导体“大基建时代”，三星与SK海力士联合宣布未来10-15年投入超3万亿美元，重点布局DRAM扩产、HBM产线及先进封装集群。同时，Meta正筹划推出“Meta Compute”云业务，拟对外出售其过剩AI算力及模型访问权限，直接对标AWS、Azure等云巨头，显示全球AI基础设施竞争已从硬件层延伸至算力服务层，系统级资源调度与商业模式创新将成为下一阶段焦点。相关产品：半导体设备ETF易方达（159558，联接基金A/C：021893/021894）跟踪中证半导体材料设备主题指数（931743），该指数选取沪深市场半导体材料和设备领域上市公司为样本，综合费率0.60%芯片ETF易方达（516350，联接基金A/C：018411/018412）跟踪中证芯片产业指数，综合费率0.20%科创芯片ETF易方达（589130，联接基金A/C：020670/020671）跟踪上证科创板芯片指数，综合费率0.60%科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，综合费率0.60%