芝奇 EXPO ULL 内存性能首测曝光，相比非 ULL 内存提升约 4%

IT之家 7 月 10 日消息，科技媒体 HardwareLuxx 于 7 月 6 日发布博文，分享了 AMD EXPO Ultra Low Latency（ULL）内存首批测试结果，称相比较非 ULL 套装内存，ULL 内存性能提升有限，约为 4%。该媒体测试芝奇 G.Skill 的新款 Trident Z5 NeoX RGB 内存，IT之家此前报道，该内存的 CL28 新品首发价远超预期，溢价超过 79%。该媒体测试样品为 2 根 16GB 内存套装，频率为 6000 MT/s，主时序为 36-36-36-76。与标准 EXPO 或 XMP 内存相比，EXPO ULL 内存的主时序基本没有变化，主要优化写入恢复时间 (tWR)。在游戏测试环节，《F1 25》游戏提升最为明显，ULL 套件的性能比 DDR5-6000 CL26-36-36-96 套件高出 4.2%，比 JEDEC 标准 5600 MT/s 高出近 14%。在《赛博朋克 2077》游戏中，ULL 相较标准 EXPO 快约 3.7%，相较 JEDEC 标准快 12.7%。在《弧光猎人》（Arc Raiders）、《博德之门 3》（Baldur's Gate 3）与《Counter-Strike 2》中，报道未记录明显性能增益。生产力应用测试方面，HardwareLuxx 称，7-Zip 测试中，ULL 与非 ULL 内存仅有轻微差异。AIDA64 基准结果显示，复制与读取吞吐基本接近，但 ULL 的写入吞吐比标准 EXPO 高 9.4%。