消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片

IT之家 7 月 10 日消息，据韩媒 newstomato 消息，业界消息透露，SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资与建设。SK 海力士计划从今年下半年起搬入生产设备，并于明年上半年分阶段完成设施建设。目前，大连第一工厂已完成向 192 层 NAND 闪存产线的升级投资以及老化设备的更换工作。报道称，在 SK 海力士所有的 NAND 闪存生产基地中，大连第二工厂被视为能最快实现产能扩充的地点。该公司曾于 2022 年在大连举行开工仪式并正式宣布投资计划，但随后因 NAND 闪存行业遇冷，该投资计划实质上已被暂缓。据悉，部分韩国本土供应商已着手将闲置的 NAND 闪存设备搬迁至大连，而海外设备制造商也已收到用于设备供应的初步采购订单。SK 海力士方面向该媒体表示：“随着 AI 数据中心的普及，如同 DRAM 一样，NAND 闪存的需求也在迅速增长。受此影响，大连第二工厂重启的可能性随之升高，但具体的日程尚未最终确定。”在企业内部，SK 海力士正积极为全面投资做准备。去年，SK 海力士向大连 NAND 闪存工厂追加注资了 4406 亿韩元（IT之家注：现汇率约合 19.92 亿元人民币）。这一规模较上一年度（2899 亿韩元）大幅增长了 52%。另据韩媒 Sisa Journal 消息，大连第二工厂将在今年下半年获得一条新的 V8 生产线（238 层 NAND 闪存），月产能目标为 3 万至 5 万片晶圆。