SK 海力士美股 ADR 单日暴涨 27.29% 创新高，较韩股溢价超 50%

IT之家 7 月 15 日消息，当地时间 7 月 14 日，韩国存储芯片巨头 SK 海力士在纳斯达克上市的存托凭证（ADR）迎来强劲行情，单日股价大涨 27.29% 收报 193.92 美元 / 股，创下美股上市以来新高。这一轮暴涨使得 SK 海力士 ADR 相对韩国首尔市场普通股的溢价大幅攀升至 51%。而在 7 月 10 日该股以存托凭证形式登陆纳斯达克时，发行定价为每份 149 美元，上市首日开盘价 170 美元，收盘报 168.01 美元，较发行价上涨约 12.8%。彼时 ADR 较韩国正股的溢价仅为 15.53% 左右。短短三个交易日，溢价水平便从约 3% 的发行价差急速膨胀至 51%。SK 海力士此次赴美上市本身便创下了纪录。该公司通过发行 1.779 亿份美国存托股份（ADS）募集资金 265 亿美元，超过 2014 年阿里巴巴的 250 亿美元融资规模，成为外国企业赴美融资规模最大的一次 IPO。上市首日市值便达到 1.22 万亿美元，超越美光科技，位居美股市值第 11 位。推动 SK 海力士股价大涨的直接动力来自 AI 行业的需求爆发。作为英伟达等 AI 算力企业的核心 HBM 供应商，SK 海力士在全球 HBM 市场占据绝对领先地位。据 Counterpoint Research 统计，2026 年第一季度 SK 海力士以 58% 的市场份额位居全球 HBM 市场第一，三星电子和美光各占 21%。机构预测 SK 海力士 2026 年全年 HBM 出货市占率约 52%，若以销售额计算，HBM 营收有望达 59.5 亿美元，稳居全球第一。研究机构 SemiAnalysis 在 7 月 14 日发布的一份报告中指出，SK 海力士 2026 年第二季度及未来的 DRAM 盈利将保持强劲，预计 DRAM 综合平均售价环比将大幅增长约 45%。这份报告发布的时间点恰逢韩国本土券商韩国投资证券（KIS）此前一天下调了 SK 海力士二季度业绩预期，引发韩国市场股价单日暴跌超 15%。SemiAnalysis 的报告在很大程度上扭转了市场情绪，推动美股 ADR 强势反弹。从行业层面看，全球存储芯片市场已走出前两年的产能过剩与价格低谷。据 Gartner 预测，全球存储半导体市场规模将从 2025 年的 2160 亿美元增长至 2026 年的 6330 亿美元，同比增长 192.7%。HBM 作为 AI 服务器的核心配件，需求尤为旺盛 ——2026 年 HBM 需求预计同比增长 90%。与此同时，HBM 生产周期长达 4 至 6 个月，产能释放存在明显滞后，供需错配进一步推高了存储芯片价格。目前全球存储市场基本由三星电子、SK 海力士和美光三家垄断。凭借 HBM 领域的先发优势以及与英伟达的深度合作，SK 海力士在此轮 AI 存储涨价潮中成为最大受益者之一。不过芯片行业周期性波动显著，后续若行业产能集中释放或 AI 终端需求增速放缓，存储芯片涨价节奏可能面临调整，股价也将随之承压。