消息称 3D IC 逻辑-存储集成热度渐高，DRAM 市场定制化加速

IT之家 7 月 28 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间 24 日报道称，垂直集成逻辑半导体和存储半导体的 3D IC 解决方案正成为芯片设计行业的一个关注焦点，三星晶圆代工已收到大量相关咨询。HBM 通过大量 I/O 和 DRAM Die 堆叠带来了传统内存难以提供的海量带宽，而其在整个系统层面也仅是 2.5D 异构集成。更高层次的 3D 集成将进一步缩短逻辑与存储单元间的距离，通过直接的垂直数据路径释放此前被“内存墙”限制的性能潜力。▲ 从标准封装到深度集成的逻辑与存储图源：华邦电子不过，此类 3D IC 解决方案的特点也意味着存储半导体部分的设计与逻辑半导体部分高度绑定，导致其使用的 3D DRAM 成为一种定制产品，这为中小型内存业者创造了新的蓝海市场。