高温长期运行出现芯片失效 三星8英寸氮化镓晶圆代工产线量产进程受阻

三星电子位于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓（GaN）半导体晶圆代工产线，在试生产阶段遭遇可靠性瓶颈。部分芯片在100至200摄氏度高温环境下持续运行约1000小时后出现失效，原定于今年内量产的目标预计将被迫延后。该产线为专用于GaN代工的8英寸线，设计月产能为1300至1500片晶圆。近期已为多家无晶圆厂客户完成试流片，但在后续可靠性验证中，问题逐步暴露。 阅读全文