三星展示下一代3D内存与突破性V10 BV-NAND技术

在全球存储与存储技术大会（Future of Memory and Storage， FMS 2026）于美国加州圣克拉拉举行期间，全球先进内存技术领导者三星电子集中展示了其最新的人工智能（AI）内存创新成果。三星凭借在DRAM、NAND、企业级存储及相关半导体技术领域的深厚积累，全面展现了面向未来AI基础设施的最新产品阵容与技术路线图。 阅读全文