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铠侠推全球容量密度最高的QLC闪存 332层比三星400层都要强 | av5269.com
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铠侠推全球容量密度最高的QLC闪存 332层比三星400层都要强
铠侠推全球容量密度最高的QLC闪存 332层比三星400层都要强
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ugmbbc
1小时前
NAND闪存在进入3D堆栈时代之后,层数越高通常密度就会更高,现在已经做到400层以上了,但铠侠不想再玩层数游戏,其332层的闪存密度都能做到世界最高。铠侠前身是日本东芝公司的闪存部门,也是NAND闪存的发明人,现在是跟闪迪公司合作研发、生产闪存,其技术路线BiCS相比三星、SK海力士、美光等公司有独到之处,容量密度一向很强。 阅读全文
原文来源:
https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1571902.htm