有助于突破摩尔定律极限，台积电等研发出单层二硫化钼 MoS2 顶栅极晶体管

IT之家 8 月 7 日消息，据台媒经济日报消息，台积电在下一代技术领域取得重大突破。台积电联合阳明交通大学团队，成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，有助于突破摩尔定律极限，为开启“后硅”时代带来全新契机，相关研究成果已发表于学术期刊《自然-电子学》。业界指出，为突破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。其中，二硫化钼（MoS2）作为备受瞩目的新型二维半导体材料，预计将在约 1 纳米以下的 0.7 纳米（A7 制程）/CFET（互补场效应晶体管）时代正式引入。包括应用材料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International 以及泛林集团（Lam Research）在内的半导体设备巨头，均在积极投入研发对应二硫化钼新材料的设备与技术需求。据介绍，手机、电脑乃至未来的 AI 智能设备，都需要运算速度更快、功耗更低的半导体芯片。然而，传统的硅基半导体技术已逐步逼近其物理极限。为此，全球科学家都在积极探索下一代半导体材料。而“二维半导体”由于薄至仅有原子级厚度，被视为延续摩尔定律、推动芯片持续微缩与性能提升的关键突破口。IT之家附论文链接：https://www.nature.com/articles/s41928-026-01672-7