三星电子推迟引入High-NA EUV设备 拟于2030年在1nm制程中采用
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据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子旗下代工业务（Samsung Foundry）虽然一直在对其芯片制造工具进行升级，但目前尚未承诺引入阿斯麦（ASML）新一代的高数值孔径极紫外光刻设备（High-NA EUV）。这一战略预计将在 2030 年三星研发 1nm 制程节点时发生改变。届时，三星将成为顶尖半导体芯片厂商中较晚引入 High-NA EUV 设备的厂商之一。 阅读全文