英特尔 CEO 陈立武暗示将重返内存市场，探索 CPU 与内存堆叠方案

IT之家 8 月 13 日消息，英特尔 CEO 陈立武在谈及美国芯片产业复兴时透露，曾被认为属于“商品化业务”的新型存储架构，如今已经成为具有战略意义的领域，也是他本人重点关注的项目之一。他还表示，存储行业正处于创新的关键时期，并暗示英特尔正在探索将存储堆叠在 CPU 上方的方案。经过多年的商品化竞争，存储芯片在最近几个季度重新成为战略资产，而且这种情况可能还会持续一段时间。因此，全球主要的 3D NAND 和 DRAM 制造商如今都变成了利润丰厚的企业。英特尔 CEO 陈立武对此显然非常关注。陈立武表示：“过去我的想法是，‘不要投资存储芯片，因为这是一项商品化业务’，但现在情况已经不同了。”他继续说道：“现在有大量新技术正在出现。所以，我们正在关注一些新的存储架构，这也是我重点关注的项目之一。我想你们刚刚也看到相关新闻：我聘请了我的好友李锡熙（Seok-Hee Lee），他曾经负责 SK 海力士。所以，你们大概能猜到我正在考虑什么。不过，我们现在还没有准备好公布具体计划。”陈立武没有透露这个重点项目的具体内容，甚至没有明确说明这是否属于他本人在英特尔重点推动的战略项目，还是属于他投资的某家公司。不过，他确实提到，将存储芯片堆叠在 CPU 上方可能非常有意义，但没有进一步解释具体方案。陈立武的这番表态，也是在英特尔一项 XBM 专利曝光之后作出的。该专利提出了一种无需使用 HBM 硅中介层的方案。“我认为 CPU 和存储之间有很多方式可以真正实现堆叠。”陈立武说，“同时，我们也应该尝试为存储寻找一些新的架构。我认为，在某种程度上，存储领域还存在大量尚未实现的创新，因此这里有一个非常好的发展空间。”据IT之家了解，英特尔其实最初就是一家存储芯片公司。1968 年成立后，英特尔曾在存储芯片领域取得相当不错的成绩。但到了 20 世纪 80 年代，日本企业逐渐占据领先地位，英特尔遭受严重亏损，最终不得不彻底退出存储芯片市场。此后，英特尔曾多次尝试重新进入存储领域。公司先后涉足 NAND 和 Optane 存储业务，或者试图通过 RDRAM 这类新型存储技术寻找新的增长机会。不过在这三次尝试中，英特尔最终都放弃了相关存储业务，而且没有造成特别严重的财务损失。考虑到当前 3D NAND 和 DRAM 制造商的盈利能力，生产存储芯片如今确实再次成为一门不错的生意，而且未来一段时间内可能仍将保持较高利润。不过，如果英特尔想重新进入存储市场，就需要投入大量资本，至少建设一座晶圆厂，同时还需要投入研发资金开发具有竞争力的制造工艺，并且需要足够长的时间才能形成规模。如果企业拥有足够资金，授权获得相关技术当然也是一种选择。但很难相信在当前这个阶段，英特尔会更愿意把资本投入存储业务，而不是用于核心产品和晶圆代工业务。此外，投资者会如何看待这类投资也存在很大疑问。毕竟，英特尔目前仍在努力成为晶圆代工市场中的强劲竞争者，同时公司此前已经因为未能实现战略目标而退出了 3D NAND 以及 3D XPoint / Optane 业务。