SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80% 年底将有19万片产能

SK海力士正加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资较原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E的核心芯片，并计划于今年交付样品。 阅读全文