突破！我国三维多层片上电容问世，将在先进封装领域规模化应用，先进封装含量全市场最高科创半导体ETF华夏(588170)盘初拉涨2.44%

2026.06.15 截至2026年6月15日 09:50，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨2.53%，成分股耐科装备上涨7.84%，华海清科上涨5.71%，新益昌上涨4.72%，华兴源创，中微公司等个股跟涨。科创半导体ETF华夏(588170)上涨2.44%。消息面上，我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片。从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。业内机构表示，随着AI算力需求大幅增长，作为芯片制造“母机”的半导体设备，正迎来高景气周期。多家公司一季度业绩的亮眼表现，反映了下游需求的旺盛，尤其是AI服务器、高性能计算芯片需求的爆发，推动了先进芯片的扩产潮。在AI算力需求高增等多重利好因素驱动下，我国半导体产业进展超市场预期。看好半导体设备、材料、晶圆制造相关板块。相关ETF：科创半导体ETF华夏（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中存储芯片含量近80%，先进封装含量在全市场中最高（约59%），聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357）：跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高（约63%），直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”（设备商）的确定性需求。此外，市场轮动加快，可以“配点红利”，通过哑铃策略平衡风险和回报，一端是高成长性或进攻型资产，另一端是低波动防守型资产。红利低波ETF华夏(159547)：跟踪红利低波指数(H30269.CSI)，指数近1年股息率为4.53%，对应的全收益指数自发布日(2013年12月19日)到25年年底，任意时间持有6个月正收益概率是72%，持有1年、2年、3年正收益概率分别升至83%、89%和95%，适合作为哑铃策略中的防守型资产进行配置，管理费+托管费仅0.2%，在同类产品中费率最低，联接基金A类021482；联接基金C类021483。 获取更多RSS：https://feedx.net https://feedx.site