英特尔14A工艺良率在试生产前取得关键进展

摩根士丹利最新研究显示，英特尔下一代 14A 制程节点目前的缺陷密度（D0）约为 0.5，这意味着在长而复杂的半导体制造流程中，每单位面积晶圆上产生的纯功能性报废芯片比例较低，整体良率水平相较于同阶段的新工艺已相当可观。  阅读全文