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英特尔14A工艺良率在试生产前取得关键进展
英特尔14A工艺良率在试生产前取得关键进展
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ugmbbc
2小时前
摩根士丹利最新研究显示,英特尔下一代 14A 制程节点目前的缺陷密度(D0)约为 0.5,这意味着在长而复杂的半导体制造流程中,每单位面积晶圆上产生的纯功能性报废芯片比例较低,整体良率水平相较于同阶段的新工艺已相当可观。 阅读全文
原文来源:
https://www.cnbeta.com.tw/articles/tech/1566000.htm