三星 1d DRAM 量产时间表曝光：明年 Q2 或 Q3 导入设备，最快年底实现初步量产

IT之家 6 月 17 日消息，ZDNET Korea 今日报道称，三星电子的下一代 DRAM 量产计划正逐步明确。消息人士透露，该公司目前正与多家合作伙伴共同开发用于第七代 10 纳米级（1d）DRAM 的量产设备，目标最早在明年第二季度开始导入相关设备。三星电子计划最早于明年上半年启动 1d DRAM 的初步量产准备工作。▲ 三星电子平泽工厂据介绍，1d DRAM 的电路线宽约为 10~11 纳米，相比当前已商用的第六代 10 纳米级（1c）DRAM 的 11~12 纳米线宽进一步缩小。线宽越窄，代表 DRAM 的性能和能耗控制水平越高。此前三星电子已对 1d DRAM 进行了包括初期样品制作在内的内部量产评估。虽然一度有观点认为三星最早可能在今年内启动 1d DRAM 量产，但由于关键设备仍处于开发阶段，这一预期被认为不切实际。目前三星与合作方讨论中的 1d DRAM 量产设备导入目标时间为明年第二季度。考虑到实际量产准备所需的时间，三星启动 1d DRAM 初步量产的时间点最早也要到明年年底。一位半导体行业相关人士表示：“三星电子正在与主要合作伙伴积极进行研发，以稳定 1d DRAM 的良率和性能。日程可能会有变动，但目标是在明年第二季度或第三季度引入量产设备。”另一位相关人士则表示：“三星电子的 1d DRAM 属于开发进展相对较高的工艺，预计明年可以开始量产，今年年底左右计划将更加具体化。”三星电子的 1d DRAM 预计将在其 AI 内存业务中发挥重要作用。特别是计划于 2029 年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E），将采用 1d DRAM 作为核心芯片。IT之家后续将保持关注。相关阅读：《SK 海力士最新计划：2030-2031 年 DRAM 晶圆产能实现翻倍，月产量达百万片》